Siliconized Graphite Vs. Sik

Materyèl grafit kabòn gen pwòp tèt ou-lubrifikasyon, segondè fòs mekanik, ki ba koyefisyan nan friksyon, rezistans tanperati ki wo, bon anti-mete, lajman ki itilize nan machin, endistri chimik, petwòl, instrumentation, ponp ak lòt jaden. Materyèl grafit konvansyonèl yo pi piti pase ideyal an tèm de rezistans mete ak rezistans korozyon, pandan y ap silikifye grafit, kòm yon materyèl jeni roman, gen pwopriyete yo nan tou de grafit kabòn ak carbure Silisyòm, epi li se itilize nan yon pakèt aplikasyon.

Ki sa ki se silid grafit?

Grafit silikonize se yon materyèl konpoze ki konpoze de yon kouch carbure silisyòm kouvwi sou sifas materyèl grafit. Silisyòm carbure kouch epesè nan 1 ~ 1.5mm, Silisyòm carbure kouch ak matris grafit konbine byen. Dite a nan silid grafit se aktyèlman dite a nan sik, ki se dezyèm sèlman nan dyaman, nitrid bor, carbure bor, ak pi wo pase dite a nan carbure tengstèn ak trioxide aliminyòm.

Graphite Silicide pa sèlman gen pwòp tèt ou-larivyè a nan materyèl grafit kabòn, bon konduktiviti elektrik ak tèmik, rezistans chòk tèmik ak poze sele, men tou, gen avantaj ki genyen nan fòs segondè, rezistans oksidasyon, rezistans chimik korozyon nan carbure Silisyòm, epi li se patikilyèman apwopriye pou Charj lou, tanperati ki wo, ak lòt okazyon mande, se konsa materyèl yo silid grafit yo pi plis ak plis lajman itilize nan jaden an nan poze sele, friksyon, endistri chimik, metaliji, ak avyon ak endistri nikleyè.

Preparasyon nan silid grafit

Gen twa metòd pwodiksyon prensipal nan depozisyon grafit vapè chimik vapè (kardyovaskulèr), reyaksyon vapè chimik (CVR) ak likid metòd reyaksyon Silisyòm.

1. Metòd Vapè Chimik (kardyovaskulèr)

Gaz la ki gen Silisyòm ak kabòn nan tanperati a segondè grafit substrate dekonpozisyon tèmik, génération SiC depoze sou sifas la nan substra a grafit. Matyè premyè pou trichloromethylsilane (CH3SIC3), Silisyòm tetrachlorid, idwojèn, vapè Silisyòm ak sou sa. Ranje a tanperati depozisyon se lajè, ki soti nan 1175 ℃ a 1775 ℃. Sic kouch ki te pwodwi pa metòd sa a se trè dans, epesè inifòm, epesè jeneral la sou 0.1 ~ 0.3 mm, men konbinezon an nan sik ak grafit substrate pou lyezon an pi mekanik, fòs la lyezon se fèb, nan chanjman an rapid nan sic tanperati a Kouch se tendans fann, penti kap dekale.

2. Metòd Reyaksyon Faz Vapè Chimik (CVR)

Materyèl anvan tout koreksyon pou poud coke ak sab quartz depase oswa poud silica amorphe, lè chofe a 2000 ℃ lè reyaksyon chimik la rive, jenerasyon an nan vapè sio, vapè sio ak reyaksyon kabòn substrate jenere SiC. Sic kouch ak kabòn substrate de pa gen okenn koòdone evidan, kosyon an se trè fò, nan ka a nan chanjman toudenkou nan tanperati a ak chaj segondè pa pral vini nan, men metòd la CVR se pénétration gaz la SiO nan kabòn substrate pote soti nan reyaksyon an , se konsa toujou kenbe nati a ki mouye nan substra a kabòn. Sepandan, metòd CVR se reyaksyon an nan enfiltrasyon gaz SiO nan matris la kabòn, Se poutèt sa, li toujou konsève nati a ki mouye nan matris la kabòn, lè yo itilize kòm yon materyèl sele, li nesesè yo sèvi ak fekondasyon résine oswa metòd CVD ranpli porositë yo .

3. Likid Silisyòm pèmeyasyon

Metòd sa a tou ki dwe nan yon kalite CVR. Anba kondisyon vakyòm, chofe a 1700-1900 ℃, substrate nan kabòn dirèkteman benyen nan fonn likid Silisyòm, Silisyòm likid piti piti penetre nan substrate a kabòn, reyaksyon an ki te fèt jenere SiC. 99.9999% nan materyèl la anvan tout koreksyon pou Silisyòm nan pi. Sic epesè kouch ki rive jiska 3.5 mm. Apre reyaksyon an, substrate kabòn lan gen apeprè 17% nan silikon la gratis yo ranpli baz la nan pò a, se konsa ke substra a te vin dans ak enpèmeyab. Sepandan, prezans nan Silisyòm gratis diminye rezistans a korozyon ak segondè-tanperati rezistans oksidasyon nan silikifye grafit.

Diferans ant silikonize grafit ak sik

1.Silikonize grafit (silikonize grafit) se yon materyèl konpoze ki konpoze de yon kouch carbure silisyòm kouvwi sou sifas materyèl grafit. Dite grafit silikonize se dite sic, li se dezyèm sèlman nan dyaman, nitrid bor, carbure bor, pase carbure tengstèn, oksid aliminyòm ak lòt dite segondè. Silisid grafit ka itilize kòm asid fosfò, fosfò amine ak idrofluoric asid ponp BEARINGS. Anplis de sa, endistri a semi -conducteurs, kòm Silisyòm kwasans epitaksyal nan substrate nan fèy chalè ak aparèy ak fabrike nan jwenti atifisyèl, tiyo kè atifisyèl, rasin dan atifisyèl.

2.Silikon carbure (sik) se te fè nan sab kwats, petwòl coke (oswa coke chabon), bato bwa (pwodiksyon an nan vèt silisyòm carbure bezwen ajoute sèl) ak lòt matyè premyè nan gwo founo dife a segondè revandikasyon rezistans. Silisyòm carbure egziste tou nan lanati kòm mineral ki ra, Moissanite. Se Silisyòm carbure ke yo rele tou kabòn silica. Nan kontanporen C, N, B ak lòt ki pa oksid gwo teknoloji REFRACTORY matyè premyè, Silisyòm carbure pou pi lajman itilize a, yon sèl ki pi ékonomi, yo ka rele lò sab asye oswa sab REFRACTORY. Kounye a, se pwodiksyon endistriyèl Lachin nan Silisyòm carbure divize an nwa silisyòm carbure ak vèt silisyòm carbure de kalite, yo se kristal egzagonal, gravite espesifik nan 3, 20 ~ 3, 25, microhardness nan 2840 ~ 3320kg/mm2

Ki sa ki se silid grafit ak sa ki endistri li itilize nan?

Grafit silikonize se yon materyèl konpoze ki gen ladan yon kouch carbure silisyòm kouvwi sou sifas materyèl grafit. Dite a nan silid grafit se dite a nan sik, ki se dezyèm sèlman nan dyaman, nitrid bor, carbure bor, ak pi wo pase carbure tengstèn ak trioksid aliminyòm. Silisid grafit ka itilize kòm asid fosfò, asid fosfò ak idrofluorik asid ponp BEARINGS. Anplis de sa, endistri a semi -conducteurs, kòm Silisyòm kwasans epitaksyal nan substrate nan fèy chalè ak aparèy ak fabrike nan jwenti atifisyèl, tiyo kè atifisyèl, rasin dan atifisyèl. Se Silisyòm carbure te fè soti nan sab kwats, petwòl coke (oswa coke chabon), bato bwa (sèl se ajoute yo pwodwi vèt silisyòm carbure) ak lòt materyèl anvan tout koreksyon pa-wo tanperati fondri nan yon gwo founo dife rezistans. Silisyòm carbure egziste tou nan lanati kòm yon mineral ki ra, moissanite. Se Silisyòm carbure ke yo rele tou kabòn silica. Nan kontanporen C, N, B ak lòt ki pa oksid gwo teknoloji REFRACTORY matyè premyè, Silisyòm carbure pou pi lajman itilize a, yon sèl ki pi ékonomi, yo ka rele lò sab asye oswa sab REFRACTORY. Kounye a, se pwodiksyon endistriyèl Lachin nan Silisyòm carbure divize an de kalite nwa silisyòm carbure ak vèt silisyòm carbure, se kristal egzagonal, gravite espesifik nan 3, 20 ~ 3, 25, mikro nan 2840 ~ 3320kg/mm2.

Silisid grafit kòm yon kalite silisyòm carbure ranfòse grafit materyèl konpoze, pa sèlman gen dite a segondè, rezistans segondè mete ak segondè rezistans tanperati oksidasyon nan carbure silisyòm, men tou, gen bon pwopriyete yo pwòp tèt ou-lubrifyan nan grafit, konduktiviti tèmik ak koyefisyan ki ba nan Ekspansyon tèmik, ki ka aplike nan sele mekanik ak lòt pati segondè-presizyon.

Se figi a fen sele nan sele a mekanik ki konpoze de bag la wotasyon dinamik enstale sou arbr a ak bag la estatik fiks sou chèz la, ki mande pou materyèl la gen bon rezistans mete, ki ba koyefisyan nan friksyon, rezistans korozyon, segondè konduktiviti tèmik, ak pèfòmans sismik fò, ak grafit la silisid ka jisteman satisfè kondisyon sa yo. Li se mezire, lè valè a PV (sele presyon ak vitès nan pwodwi a) jiska 147MPA-M/s, bag asye carbure ki pwodui fant tèmik estrès, ak silid grafit pwòp tèt ou-pè sele bag ak valè PV li yo jiska 687MPA- M/s san domaj. Anplis de sa kapab tou itilize pou pwoteksyon ponp ak segondè ki mache ak pil motè sele dlo ak sele lòt. Silisid grafit ka itilize kòm asid fosfò, asid fosfò ak idrofluorik asid ponp BEARINGS. Anplis de sa, endistri a semi -conducteurs, kòm Silisyòm kwasans epitaksyal nan substrate a plak chofaj ak aparèy ak fabrike nan jwenti atifisyèl, tiyo kè atifisyèl, rasin dan atifisyèl, elatriye.

Ranpli fòm rechèch kout nou an jodi a pale dirèkteman ak youn nan enjenyè aplikasyon ki gen eksperyans nou an.